Transistores de potencia RF GaN/SiC
Los transistores de potencia HEMT GaN/SiC son avanzados en tecnología de RF. Garantizan disipación de calor, fiabilidad y densidad de potencia.
Integra ofrece una selección completa de los transistores de potencia de RF GaN/SiC de alta potencia más avanzados, hasta transistores de potencia de RF de 50 ohmios y módulos de potencia de RF para aplicaciones desde UHF hasta banda X. También seguimos ofreciendo dispositivos Si-Bipolares, LDMOS y VDMOS que dan soporte a programas nuevos y heredados.
Los principales mercados son el aeroespacial y de defensa, radar meteorológico, control de tráfico aéreo, aviónica (IFF, SSR, DME, TACAN), enlaces de datos, guerra electrónica y mercados industriales, científicos y médicos (ISM).
