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POL-05-20S-T – Point-of-Load Converter

Il POL-05-20S-T è un convertitore Point-of-Load (POL) ad alta efficienza e resistente alle radiazioni, basato su tecnologia GaN, in grado di erogare fino a 20 A di corrente. È stato progettato per alimentare carichi digitali ad alta intensità di corrente e per applicazioni spaziali particolarmente esigenti, dove affidabilità, prestazioni e resistenza alle radiazioni sono requisiti fondamentali.

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Il POL-05-20S-T di Microchip è un convertitore Point-of-Load (POL) ad alta efficienza che utilizza transistor di potenza GaN HEMT (High Electron Mobility Transistor) per ottenere un’elevata efficienza e una maggiore densità di potenza.

Questo dispositivo è in grado di fornire fino a 20 A di corrente in uscita in un formato compatto e supporta una tensione di ingresso compresa tra 4,75 V e 13,2 V. Il POL-05-20S-T adotta una topologia buck sincrona con controllo in modalità corrente, garantendo un’elevata frequenza di commutazione e un funzionamento robusto e stabile.

Il POL-05-20S-T è ottimizzato per applicazioni ad alta corrente e con rapide variazioni di carico (fast transient), come le alimentazioni principali di FPGA, ASIC e altri sistemi digitali ad alta capacità di elaborazione. Il dispositivo è disponibile in un package per montaggio superficiale (SMD) del peso di 25 g, con dimensioni 1,51″ x 1,51″ x 0,45″, e dispone di tensione di uscita regolabile.

Questo componente è progettato per operare in ambienti caratterizzati da elevata esposizione alle radiazioni, come quelli spaziali. I parametri elettrici sono specificati sia prima che dopo l’irraggiamento fino a 50 krad (Si) e gli effetti da singolo evento (SEE – Single Event Effects) sono stati caratterizzati fino a un Linear Energy Transfer (LET) di 43 MeV·cm²/mg.

Il POL-05-20S-T può funzionare in un intervallo di temperatura compreso tra -55 °C e +100 °C, mantenendo le prestazioni nominali anche a pieno carico.

Caratteristiche principali

  • Fino a 20 A di corrente continua in uscita
  • Ampio intervallo di tensione di ingresso: da 4,75 V a 13,2 V
  • Tensione di uscita regolabile
  • Utilizzo di transistor GaN FET per ottenere un’elevata efficienza energetica
  • Ridotta variazione della tensione di uscita durante i transitori di carico, grazie alla funzione interna di droop control
  • Topologia buck sincrona a controllo in modalità corrente
  • Pin di abilitazione (Enable) per l’accensione e lo spegnimento elettrico del dispositivo
  • Indicatore Power-Good per il monitoraggio del corretto funzionamento dell’alimentazione

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