Physical Electronics (PHI) PHI Genesis

Le PHI Genesis de Physical Electronics est la dernière génération de la gamme XPS multi-techniques à succès de PHI, équipée de sa source de rayons X brevetée, monochromatique, microfocalisée et à balayage.

Facile à utiliser et entièrement automatisé, le système intègre l’auto-réglage et l’étalonnage automatiques ainsi que plusieurs positions de stockage des échantillons pour maximiser le débit d’analyse.

La plateforme multi-techniques entièrement intégrée du PHI Genesis propose un large choix de sources d’excitation optionnelles, de sources d’ions pour la pulvérisation ainsi que de capacités de traitement et de transfert des échantillons. Ces fonctionnalités sont essentielles pour l’étude des matériaux avancés et répondent aux besoins de caractérisation et d’analyse des matériaux les plus exigeants.

Le PHI Genesis offre une haute sensibilité et un débit d’analyse élevé pour les grandes et petites zones, jusqu’à 5 µm. Il propose également un profilage en profondeur non destructif à haut débit grâce à sa source optionnelle de rayons X durs au chrome (Cr). L’instrument est entièrement personnalisable afin de répondre à tous les besoins analytiques.

Navigation intuitive des échantillons et identification précise des zones d’analyse

• La microsonde à rayons X à balayage permet une navigation similaire à celle d’un MEB, avec un contrôle intuitif par simple clic
• L’imagerie par électrons secondaires induits par les rayons X (SXI) assure une parfaite corrélation entre les zones imagées et les analyses spectroscopiques
• SmartMosaic permet la navigation SXI sur de grandes surfaces ainsi que la cartographie chimique de grandes zones

Le seul instrument XPS/HAXPES multi-techniques de laboratoire entièrement automatisé et à haut débit disponible sur le marché

• Gestion de grands échantillons
• Multiples positions de stockage
• Transfert et manipulation automatisés des échantillons
• Commutation automatisée rapide entre les modes XPS et HAXPES

Profilage en profondeur optimisé

• Plusieurs options de canons à ions : Ar monoatomique, C₆₀ et faisceau d’ions en grappe d’argon (GCIB), pour l’analyse de matériaux organiques, inorganiques et mixtes

• Platine 4 axes avec rotation/inclinaison et chauffage/refroidissement pendant la pulvérisation
• Profilage multipoint au sein d’un même cratère de pulvérisation pour l’analyse de défauts et d’échantillons précieux
• Angle solide de collecte réglable pour améliorer la résolution angulaire lors des analyses résolues en angle, avec un logiciel avancé pour l’analyse à haut débit de structures de films

Analyse de microzones haute performance

• Sensibilité sur petites zones parmi les plus élevées du marché
• Taille de microsonde inférieure à 5 µm selon les axes X et Y avec la source de rayons X Al, et inférieure à 14 µm avec la source de rayons X Cr
• Enregistrement des images pour l’analyse automatisée de microzones sans surveillance

Les capacités HAXPES des synchrotrons dans votre laboratoire avec le PHI Genesis

• La profondeur d’information analytique avec la source de rayons X Cr est environ 3 fois supérieure à celle obtenue avec une source de rayons X Al
• Analyse de structures de films plus épaisses et d’interfaces enterrées, avec réduction des effets de la contamination de surface et des dommages chimiques induits par les ions lors du profilage en profondeur

Une gamme de solutions spécialisées pour la caractérisation in situ des matériaux avancés

• Analyse de la structure de bandes électroniques des matériaux organiques et inorganiques grâce aux mesures UPS, LEIPS et REELS depuis la même zone de l’échantillon
• Expériences électrochimiques : polarisation et études sous tension
• Système de transfert d’échantillons sous atmosphère inerte
• Spectroscopie Auger entièrement intégrée, combinant haute énergie et haute résolution spatiale, avec cartographie élémentaire exactement à l’emplacement d’intérêt identifié par XPS